Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
BSS138N H6327 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаBSS138N H6327
-
ПроизводительInfineon Technologies
-
ОписаниеInfineon Technologies BSS138N H6327 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 0.23 A Rds On: 3.5 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PG-SOT23-3 Fall Time: 8.2 ns Forward Transconductance - Min: 0.2 S Gate Charge Qg: 1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.36 W Rise Time: 3 ns Series: BSS138 Typical Turn-Off Delay Time: 6.7 ns Part # Aliases: BSS138NH6327XTSA2 SP000919330
-
Количество страниц9 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла287,98 KB
BSS138N H6327 datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
